MOSFET: принцип на действие и обхват

Изучаването на свойствата на материал като полупроводник направи възможно революционните открития. С течение на времето се появяват технологии, които правят възможно в промишлен мащаб производството на диоди, MOS транзистор, тиристор и други елементи. Те успешно заменят електронните лампи и позволяват да реализират най-смелите идеи. Полупроводникови елементи се използват във всички сфери на нашия живот. Те ни помагат да обработваме огромни обеми информация, компютри, касетофони, телевизори и др.

От откриването на първия транзистор, а това беше през 1948 г., това отдавна е било. Имаше разновидности на този елемент: точка-като германий, силиций, поле или MOS транзистор. Всички те са широко използвани в радио електронното оборудване. Проучването на свойствата на полупроводниците не спира в наше време.

Тези проучвания доведоха до появата на такова устройство като MOSFET. Принцип на действие тя се основава на факта, че при действието на електрическо поле (следователно друго поле - поле), проводимостта на близкия повърхностен слой на полупроводника, разположена на границата с диелектрик, варира. Тази собственост се използва в електронни схеми за различни цели. MOSFET има такава структура, която позволява да се намали съпротивлението между дренажа и източника под действието на управляващия сигнал до почти нула.

Неговите свойства са различни от биполярния "конкурент". Те определят обхвата на неговото прилагане.

• Високата скорост се осигурява чрез миниатюризация на самия кристал и неговите уникални свойства. Това се дължи на някои трудности в промишленото производство. Понастоящем се получават кристали с порта от 0.06 цт.
• Малкият преходен капацитет позволява тези устройства да работят в високочестотни схеми. Например, LSI с тяхното използване се използва успешно в мобилните комуникации.
• По същество нулево съпротивление, което има MOS транзистор в открито състояние, позволява да се използва като електронни ключове. Те могат да работят в схеми за генериране на високочестотни сигнали или за маневрени елементи като операционни усилватели.
• Мощните инструменти от този вид се използват успешно в силови модули и могат да влизат в индукционни вериги. Добър пример за тяхното използване може да бъде честотен преобразувател.

При проектирането и работата с такива елементи е необходимо да се вземат под внимание някои характеристики. MOSFET са чувствителни към обратното пренапрежение и лесно се провалят. В схеми с индуктивност, бързодействащи Шотки диоди за да изгладите обратен импулс на напрежението, който се получава при превключване.

Перспективите за използването на тези устройства са доста големи. Подобряването на технологията на тяхното производство върви по пътя на намаляване на кристалите (мащабиране на затвора). Постепенно има устройства, които могат да управляват все по-мощни електрически двигатели.